Hochleistungs-Photovoltaikprodukte für unübertroffene Leistung und Erträge
Dank der innovativen Technologie 3SUN CORE-H® sind wir in der Lage, das Sonnenlicht in jeder Umgebung und jeder Situation optimal zu nutzen
Unsere Module sind das Ergebnis jahrzehntelanger Erfahrung in der Entwicklung der HJT-Technologie und gewährleisten höchste Zuverlässigkeit und Widerstandsfähigkeit
Wir stellen unsere Produkte nach strengsten Qualitätskriterien unter Anwendung vollautomatischer Fertigungsprozesse in Italien her
Hohe Effizienz und Leistung, hervorragende Lebensdauer und Stabilität mit optimalen Temperaturkoeffizienten und einem konkurrenzlosen Garantiepaket
Dank der wirksamen Umwandlung des Lichts, das auf der Rückseite des Moduls prallt, wird der Energieertrag einer Anlage deutlich verbessert
Eine Nennleistung, die es ermöglicht, bei gleicher Größe der Photovoltaikanlage weniger Module zu installieren
Im Format 2,172 x 1,303 m: hohe Leistung zur Verbesserung der Produktivität von Dach- und Freiflächen-Photovoltaikanlagen
Kategorie-A-Module, die in Europa mit einer Effizienz von über 21,5 % produziert werden.
Nicht mehr als 2 % Degradation der Nennleistung nach dem ersten Jahr und 0,4 % pro Jahr danach. 0 % photoinduzierte Degradation
Eine robuste Konstruktion, die thermomechanische Spannungen und die Bildung von Mikrorissen verhindert
Hoher Umwandlungsgrad des auf das Modul auftreffenden Lichts für eine verbesserte Energieerzeugung des Systems
Modul mit reduziertem Format für mehr Flexibilität bei der Installation.
3SUN CORE-H® Solarzellen
Die 3SUN CORE-H® -Technologie von 3Sun lässt herkömmliche Technologien wie PERC, PERT und TOPCon hinter sich und setzt neue Leistungsstandards, indem sie das Sonnenlicht optimal auf beiden Seiten des Moduls nutzt
Innovative Antireflex-Schicht, transparent und leitfähig, optimiert, um das Sonnenlicht besser zu übertragen und die generierten elektrischen Ladungen in Richtung der leitfähigen Gitter zu führen
Schichten von amorphem Silicium P und N maximieren die generierte Energie und die Konduktion der elektrischen Ladungen, beugen Dispersion vor und vermeiden Rekombination an Schnittstellen
Wafer aus ultradünnem Silicium vom Typ N ermöglichen, höchste Leistung, Stabilität bei geringen Auswirkungen auf die Umwelt
Die Multi-Busbar-Technologie mit ultradünnem Gitterreduziert, die Widerstandsverluste auf ein Minimum und potenziert die Ansammlung der elektrischen Ladungen
Bei der “Heterojunction”, kreieren die Microlayer durch Quanten-Tunneling die Microlayer eine perfekte Verbindung mit dem kristallinen Siliciumund verbessern die Ausgangsspannung
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